Sammendrag
Rapporten gjennomgår framstilling av en hallbar fra en wafer for målinger av elektriske egenskaper. Waferen består av dopet GaAs på et intrinsikt substrat av samme materiale. Gjennom målingene kom det fram at konsentrasjonen av ladningsbærere var $p_{0}=$, mobiliteten var $mu_{p}=$, hallkonstanten var  $R_{H}=$, resistiviteten var  $roh=$ og resistansen var $R=$. Kontaktene var ohmske. Prøven hadde enkelte defekter, men ingen av disse så ut til å ha hatt stor innvirkning på resultatene.